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ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%。

半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类，分别是紫外全谱(300～450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm）、深紫外(DUV，包括248nm和19常来说，波长越短，加工分辨率越佳。

相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说，波长越短，加工分辨率越佳。目照敌从是指九穿前半导体用光刻胶，主要分为5个种类：g线光刻胶，i线光刻胶，灶简KrF光刻胶，ArF光刻胶和EUV光刻胶。

 ArF、KrF光刻胶

到了90年代末，半导体制程工艺发展到350mm以下，g线和i线光刻胶已经无法满足这样的需求了，于是出现了适用于248nm波长光漏亏源的KrF光刻胶和193nm波长光源的ArF光刻胶。它们都属于深紫外光刻胶，和g线、i线有质的区别。

随后的20年里，ArF光刻胶一直是半导体制程领域性能最可靠、使用最广泛的光刻光源。在21世纪以后，在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下，ArF光刻系统突破了此前65nm分辨率的瓶颈，在45nm到10nm之间的半导体制程工艺中，ArF光指语早记刻技术仍然得到了最广泛的应用。 

目前，国外夜促甲继来补守德获各仍晶圆厂主流工艺是14nm，中国大陆晶圆代工龙头企业中芯国际的制程是28mm，虽然三隐搜裤星和台积电已有10n纸夜京百快音列升议激m以下工艺技术，但尚未大规模应用。