2024-07-07 23:50发布
ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%。半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm
ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%。
半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和19常来说,波长越短,加工分辨率越佳。
相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说,波长越短,加工分辨率越佳。目照敌从是指九穿前半导体用光刻胶,主要分为5个种类:g线光刻胶,i线光刻胶,灶简KrF光刻胶,ArF光刻胶和EUV光刻胶。
ArF、KrF光刻胶
到了90年代末,半导体制程工艺发展到350mm以下,g线和i线光刻胶已经无法满足这样的需求了,于是出现了适用于248nm波长光漏亏源的KrF光刻胶和193nm波长光源的ArF光刻胶。它们都属于深紫外光刻胶,和g线、i线有质的区别。
随后的20年里,ArF光刻胶一直是半导体制程领域性能最可靠、使用最广泛的光刻光源。在21世纪以后,在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下,ArF光刻系统突破了此前65nm分辨率的瓶颈,在45nm到10nm之间的半导体制程工艺中,ArF光指语早记刻技术仍然得到了最广泛的应用。
目前,国外夜促甲继来补守德获各仍晶圆厂主流工艺是14nm,中国大陆晶圆代工龙头企业中芯国际的制程是28mm,虽然三隐搜裤星和台积电已有10n纸夜京百快音列升议激m以下工艺技术,但尚未大规模应用。
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ArF光刻胶是市场需求的主流,占比约42%。而KrF则多用于8寸晶圆片,占比约22%。
半导体光刻胶根据曝光光源波长不同来分类,分别是紫外全谱(300~450nm)、G 线(436nm)、 I 线(365nm)、深紫外(DUV,包括248nm和19常来说,波长越短,加工分辨率越佳。
相对应于各曝光波长的光刻胶也由此而生。通常来说,波长越短,加工分辨率越佳。目照敌从是指九穿前半导体用光刻胶,主要分为5个种类:g线光刻胶,i线光刻胶,灶简KrF光刻胶,ArF光刻胶和EUV光刻胶。
ArF、KrF光刻胶
到了90年代末,半导体制程工艺发展到350mm以下,g线和i线光刻胶已经无法满足这样的需求了,于是出现了适用于248nm波长光漏亏源的KrF光刻胶和193nm波长光源的ArF光刻胶。它们都属于深紫外光刻胶,和g线、i线有质的区别。
随后的20年里,ArF光刻胶一直是半导体制程领域性能最可靠、使用最广泛的光刻光源。在21世纪以后,在浸没光刻、多重光刻等新技术的辅助下,ArF光刻系统突破了此前65nm分辨率的瓶颈,在45nm到10nm之间的半导体制程工艺中,ArF光指语早记刻技术仍然得到了最广泛的应用。
目前,国外夜促甲继来补守德获各仍晶圆厂主流工艺是14nm,中国大陆晶圆代工龙头企业中芯国际的制程是28mm,虽然三隐搜裤星和台积电已有10n纸夜京百快音列升议激m以下工艺技术,但尚未大规模应用。
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